About the Project 本プロジェクトについて
本プロジェクトでは、量子論に基づいて物質の性質を解明・予測する物質計算アプリケーションの開発・高度化により、スーパーコンピュータ「富岳」上での先端的High Performance Computing (HPC)を実行し、とくに持続する社会を支える省エネルギー次世代半導体デバイス界面、薄膜成長表面の科学的性質を明らかにすることが第一の目的です。さらに物質計算アプリケーションと統合された量子論デバイスシミュレ―タにより、それら省エネルギー半導体を用いたパワーデバイス、ナノデバイスの特性を予測し、実験で得られた特性との比較検討により、高性能デバイスデザインの開発に寄与することが第二の目標です。さらに上記物質計算データと成長実験データとを同化し、プロセス・インフォーマティクスのアプローチにより、量子論エピタキシャル成長マルチシミュレーション技術の開発を行い、薄膜成長技術の進展に資することを目指します。コンピューティクス（計算科学）と実験科学のface-to-faceの共同により、新たなものづくりのパラダイム創出を目指します。
News & Topics ニュース&トピックス
- 2022年10月18日～19日
- 2022年度プロジェクトミーティングが名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリーで開催されました。研究成果、今後の展望について、二日間にわたり議論が行われました。詳細は こちら。
- 2022年1月11日～13日
- International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2022 (ISWGPDS 2022) を名古屋国際会議場とオンラインのハイブリッド開催しました。今年度は、新学術領域「特異構造の結晶科学（代表 藤岡洋）」のIWSingularity 2022 ワークショップとの共同開催としました。詳細はこちらをご覧ください。
- 2021年11月15日
- 2021年12月8日（水）9日（木）に「富岳」成果創出加速プログラム 物質・材料系課題 合同研究会プログラムがオンラインで開催されました。
- 2021年7月15日
- 第一回プロジェクトミーティングがオンラインで開催されました。現時点での研究成果、今後の展望について、終日議論が戦わされました。
詳細はこちら。 - 2021年1月19日～21日
- International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDS 2021) をオンラインで開催しました。96名（日本国内83名、海外13名）の参加のもとに活発な議論が行われました。詳細はこちら をご参照ください。
- 2020年9月11日
- ウェブサイトを公開いたしました。
- 2020年4月
- 本プロジェクト「省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション」が「スーパーコンピュータ「富岳」成果創出加速プログラム」に採択されました。