研究成果
富岳成果創出加速プログラム
省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション
第一回ミーティング： 進捗+計画 2021年7月15日（木）
ご講演の皆様は、5分程度の質疑応答の時間をお残しください。ご講演中のご質問も歓迎です。
| 9:00 – 9:05 | 押山 淳（名大）： opening |
|---|---|
| 座長＝押山 | |
| 9:05 – 9:40 | 新田 州吾（名大）： MOVPEによる高純度GaN成長と気相反応解析 |
| 9:40 – 10:10 | 白石 賢二（名大）： GaN-MOVPEでの気相反応の解析 |
| 10:10 – 10:20 | コメント 草場 彰（九大）： 成長計算と実験のデータ同化 |
| 10:20 – 10:30 | ディスカッション |
| 10:30 – 11:00 | Bui, My（名大）： GaNステップフロー成長の微視的機構 |
| 11:00 – 11:20 | 寒川 義裕（九大）： GaN MOVPEにおける不純物取り込み |
| 11:20 – 11:30 | コメント 天野 浩（名大） |
| 11:30 – 11:40 | ディスカッション |
| 休憩（ランチ） | |
| 座長＝白石 | |
| 13:00 – 13:30 | 長川 健太（名大）： アモルファスAlSiO、およびAlSiO/GaN界面の特性 |
| 13:30 – 13:40 | コメント 加地 徹（名大）／成田 哲夫（豊田中研） |
| 13:40 – 14:00 | 原嶋 庸介（筑波大）： GaN中の転位、不純物とリーク電流 |
| 14:00 – 14:10 | ディスカッション |
| 14:10 – 14:40 | 松下 雄一郎（東工大）： SiC/SiO2の特性と膜作成法 |
| 14:40 – 14:55 | 小野 倫也（神戸大）： SiC/SiO2 窒化処理についての計算 |
| 14:55 – 15:05 | コメント 大内 祐貴（富士電機）： 富士電機での取り組み -アモルファスSiO2中 N不純物欠陥の解析- |
| 15:05 – 15:15 | ディスカッション |
| 休憩 | |
| 座長＝押山 | |
| 15:25 – 15:45 | 長川 健太（名大）： SiC-CVDのミクロ機構 |
| 15:45 – 15:55 | コメント 制野 かおり（名大）： SiCステップ表面での拡散 |
| 15:55 – 16:05 | ディスカッション |
| 16:05 – 16:35 | 森 伸也（阪大）： デバイスシミュレーション |
| 16:35 – 16:50 | コメント／ディスカッション |
| 16:50 – 17:10 | 岩田 潤一（Quemix／東工大）： 富岳におけるHPC－アモルファス作成 |
| 17:10 – 17:20 | 押山 淳（名大）： 展望：計算技術と富岳 |
| 17:20 – 17:40 | コメント／ディスカッション：井本 |