研究成果

富岳成果創出加速プログラム
省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション
第一回ミーティング: 進捗+計画   2021年7月15日(木)

ご講演の皆様は、5分程度の質疑応答の時間をお残しください。ご講演中のご質問も歓迎です。

9:00 – 9:05 押山 淳(名大):  opening
  座長=押山
9:05 – 9:40 新田 州吾(名大):  MOVPEによる高純度GaN成長と気相反応解析
9:40 – 10:10 白石 賢二(名大):  GaN-MOVPEでの気相反応の解析
10:10 – 10:20 コメント 草場 彰(九大):  成長計算と実験のデータ同化
10:20 – 10:30 ディスカッション
10:30 – 11:00 Bui, My(名大):  GaNステップフロー成長の微視的機構
11:00 – 11:20 寒川 義裕(九大):  GaN MOVPEにおける不純物取り込み
11:20 – 11:30 コメント 天野 浩(名大)
11:30 – 11:40 ディスカッション
休憩(ランチ)
  座長=白石
13:00 – 13:30 長川 健太(名大):  アモルファスAlSiO、およびAlSiO/GaN界面の特性
13:30 – 13:40 コメント 加地 徹(名大)/成田 哲夫(豊田中研)
13:40 – 14:00 原嶋 庸介(筑波大):  GaN中の転位、不純物とリーク電流
14:00 – 14:10 ディスカッション
14:10 – 14:40 松下 雄一郎(東工大):  SiC/SiO2の特性と膜作成法
14:40 – 14:55 小野 倫也(神戸大):  SiC/SiO2 窒化処理についての計算
14:55 – 15:05 コメント 大内 祐貴(富士電機):  富士電機での取り組み -アモルファスSiO2中 N不純物欠陥の解析-
15:05 – 15:15 ディスカッション
休憩
  座長=押山
15:25 – 15:45 長川 健太(名大):  SiC-CVDのミクロ機構
15:45 – 15:55 コメント 制野 かおり(名大):  SiCステップ表面での拡散
15:55 – 16:05 ディスカッション
16:05 – 16:35 森 伸也(阪大):  デバイスシミュレーション
16:35 – 16:50 コメント/ディスカッション
16:50 – 17:10 岩田 潤一(Quemix/東工大):  富岳におけるHPC-アモルファス作成
17:10 – 17:20 押山 淳(名大):  展望:計算技術と富岳
17:20 – 17:40 コメント/ディスカッション:井本
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