研究成果

  1. Matsushita & Oshiyama: Nano Letters 17, 6458 (2017)

  2. Bui, Iwata, Kangawa, Shiraishi, Shigeta & Oshiyama: Journal of Physical Chemistry C 122, 24665 (2019)

  3. SiC表面ジグザグステップ構造の同定。Seino & Oshiyama: Physical Review B 101, 195307 (2020); Applied Physics Express 13, 015506 (2020)

  4. GaNエピタキシャル成長表面でのGaのクラスタリング。Bui, Boero, Shiraishi & Oshiyama: Japanese Journal of Applied Physics 59. SGGK04 (2020)

  5. アモルファスSiO2の高温状態:Iwata & Oshiyama (2020)

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