研究成果

富岳成果創出加速プログラム
省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション
2022年度プロジェクト研究成果ミーティング

講演時間は余裕を持たせていますので、講演途中での質疑も含む根掘り葉掘りモードでお願いします。

ランチ
10:30 – 10:45	押山淳：趣旨説明：本プロジェクトの終わり方と次年度以降への期待
	座長　押山
10:45 – 11:30	白石賢二：窒化物半導体MOVPE成長の気相反応の第一原理計算による解明
11:30 – 12:10	新田州吾： GaN 有機金属気相成長の気相反応その場観察
	座長　森
13:15 – 13:55	草場彰、寒川義裕：データ科学アプローチを統合したGaN成長機構解明
13:55 – 14:25	押山淳、My Bui、Mauro Boero、白石賢二： GaN-MOVPEの表面反応機構：現在第一原理計算でできること
14:25 – 14:55	原嶋庸介： GaN中転位と不純物の複合体
14:55 – 15:15	制野かおり、押山淳： GaN中Mgアクセプターの原子拡散
休憩
	座長　寒川
15:35 – 16:15	森伸也、美里劫夏南：省エネ半導体デバイスの先端シミュレーション
16:15 – 16:55	松下雄一郎、立木馨大、西谷侑将、岩田潤一： SiC-MOS界面における窒化の物理
16:55 – 17:35	小野倫也、江上喜幸、植本光治： SiC/SiO2界面窒化処理の微視的機構とSiC/SiO2ステップ界面におけるキャリア伝導特性の解析
17:35 –	白石賢二： GaN-MOSFET用のGaN/絶縁体界面の作製指針の第一原理計算による検討
18:15 – 20:15	懇親会

	座長　小野
9:30 – 10:10	天野浩：分極半導体の信頼性を評価するための計算科学の役割
10:10 – 10:50	白石賢二：産業に役立つ第一原理計算はどうやって行うのか？
10:50 – 11:20	大内祐貴、広瀬隆之、高島信也、江戸雅晴：富士電機でのアクティビティと計算科学への期待
11:20 – 11:50	小杉太一、西紘史、西谷侑将、松下雄一郎：量子虚時間発展法の材料計算への展望：量子コンピュータの活用
11:50 – 12:10	Tran Ba Hung、松下雄一郎： Skyrmion in van der Waals Materials by Dzaloshinsky-Moriya Interaction
	まとめ
12:10 –	残りの半年をどう過ごして、来年度以降につなげるのか（ディスカッション）